Форм-фактор:
M.2 2280
Назначение (тип компьютера):
- потребительский
Тип ячеек памяти:
TLC NAND (Triple Level Cell)
Нормы технологического процесса производства:
нет данных
Контроллер:
нет данных
Тип интерфейса памяти:
Возможные размеры сектора, байт:
Потребление электроэнергии во время простоя, Вт:
0.05
Потребление электроэнергии во время чтения/записи:
1.32
Технологии:
- NVMe >>>
- TCG encryption >>>
- TRIM >>>
Скоростные характеристики
Объем кэш-памяти (DRAM), Гб:
нет данных
Средний уровень задержки (Latency), мсек.:
нет данных
Максимальная скорость чтения, Мб/сек.:
2500
Максимальная скорость записи, Мб/сек.:
1200
Скорость произвольного чтения (4 KiB), IOPS:
230000
Скорость произвольной записи (4 KiB), IOPS:
200000
Характеристики объема
Емкость, Гб:
512 (0.512 Тб)
Характеристики надежности
Вероятность невосстановимых ошибок чтения (UBER):
нет данных
Total Bytes Written (TBW), TB:
нет данных
Disk Write per Day (DWPD):
нет данных
ECC(error-correcting code):
да
Количество циклов стирания/перезаписи ячеек памяти, тыс.:
нет данных
Время до отказа. (Mean time between failures) (MTBF), млн.ч.:
1.5
Диапазон рабочих температур окружающей среды, (Co):
0 - 70 C
Annualized failure rate (AFR), %:
нет данных